業務指南>單晶硅棒﹛單晶硅片加工貿易單耗標准 HDB∕YD003


簡繁首頁>海關綜合信息資訊>業務指南>[本文GB]	2007年最新中國海關稅率稅則查詢表

單晶硅棒﹛單晶硅片加工貿易單耗標准 HDB∕YD003－2000

中國海關綜合信息資訊网 China-Customs.com

單晶硅棒﹛單晶硅片加工貿易單耗標准 HDB∕YD003－2000 （商品編號：28046110﹛38180011）

1 范圍

本標准規定了以多晶硅（商品編號28046190）為主要原料加工制成4英寸﹛5英寸單晶硅棒（商品編號28046110）和單晶硅片（商品編號38180011）的加工貿易單耗標准﹛

本標准适用于海關和外經貿部門對用多晶硅（商品編號28046190）加工生產單晶硅棒（商品編號28046110）﹛單晶硅片（商品編號38180011）的加工貿易企業進行加工貿易單耗備案，審批和核銷管理﹛﹛

2 定義

本標准采用以下定義：

多晶硅加工單晶硅棒單耗指：在正常生產條件下，加工生產每公斤單晶硅棒所耗用多晶硅質量（kg）﹛（包括淨耗和工藝損耗）

單晶硅棒加工單晶硅片淨耗指：在正常生產條件下，物化在每千片單晶硅片中單晶硅棒的質量（kg）﹛

多晶硅加工單晶硅棒損耗率（％）：單晶硅棒在正常加工過程中，因生產工藝所必需但不能物化在成品中的多晶硅耗用量占多晶硅投入量的百分比﹛

單晶硅棒加工單晶硅片損耗率（％）：單晶硅片在正常加工過程中，因生產工藝所必需但不能物化在成品中的單晶硅棒耗用量占單晶硅棒投入量的百分比﹛

3 單﹛損耗標准

3．1 原料的品質規格

原料品質為免洗料，符合相關國內或國際行業技術標准規定及合同對產品質級的認定﹛

3．2 成品的品質規格

單晶硅棒品質規格：該單耗標准對原料适用于相關GB∕T12962－1996國家標准及合同對單晶硅棒質級的認定﹛

單晶硅拋光片品質規格：該單耗標准适用于相關GB∕T12964－1996國家標准及合同對單晶硅拋光片質級的認定﹛

3.3 單﹛損耗標准

3.3.1 多晶硅---單晶硅棒

序號	成品名稱	成品單位	商品編號	成品規格	原料名稱	原料單位	商品編號	單耗標准（kg）	損耗率（%）
1.	單晶硅棒	Kg	28046110	4英寸	多晶硅	Kg	28046190	1.83	45.3
2.	單晶硅棒	Kg	28046110	5英寸	多晶硅	Kg	28046190	1.78	43.8

3.3.2 單晶硅棒---單晶硅拋光片

序號	成品名稱	成品單位	商品編號	成品規格	原料名稱	原料單位	商品編號	單耗標准（kg）	損耗率（%）
1.	IC級單晶硅拋光片	千片	38180011	4英寸 525um	單晶硅棒	Kg	28046110	10.224	57.4
2.	IC級單晶硅拋光片	千片	38180011	5英寸 625um	單晶硅棒	Kg	28046110	18.619	56.7

注：1﹛可利用制成低檔次硅產品的摻堝底料﹛頭尾料，應按邊角科征稅﹛

﹛ 2﹛用線切割机，損耗較小﹛

HDB∕YD003－2000

單晶硅棒﹛單晶硅片加工貿易單耗標准編制說明

1 任務來源

為加強加工貿易單耗管理，規范和完善海關和外經貿管理部門對單耗審批﹛備案﹛核銷，落實國務院關于加強對加工貿易管理的政策措施，打擊偽報單耗的不法行為，促進加工貿易的健康發展，根据加工貿易單耗標准制定工作聯絡小組工作計划，制定單晶硅棒﹛單晶硅片加工貿易單耗標准﹛

本標准由海關總署關稅征管司委托上海海關負責起草制定﹛由海關總署關稅征管司﹛國家經貿委外經司和國家信息產業部組織相關工業協會及企業的工藝﹛技術專家和有關海關加工貿易保稅專業技術人員進行審定﹛

2 制定單耗標准的原則

單耗標准的制定原則是以國家標准﹛行業標准或該類加工企業平均水平為基礎，貫徹國家有關產業和外貿政策，符合我國加工貿易生產實際，有利于加工貿易企業技術進步和公平競爭，便于海關有效監管和相關單耗數据信息的使用和維護﹛

3 編制過程

根据現階段生產單晶硅棒﹛單晶硅片加工工藝和主要加工企業的生產技術水平，結合國內外同行業加工貿易生產實際，制定本單耗標准﹛

3．1 技術論証及适用范圍

（1）成品和主要原料的商品知識

單質硅有無定形及晶体兩种﹛無定形硅為灰黑色或栗色粉末，更常見的是無定形塊狀，它們是熱和電的不良導体﹛質硬，主要用于冶金工業（例如鐵合金及鋁合金的生產）及制造硅化物﹛晶体硅是銀灰色，有金屬光澤的晶体，能導電（但導電率不及金屬）故又稱為金屬硅﹛高純度的金屬硅（�99．99％）是生產半導体的材料，也是電子工業的基礎材料﹛摻雜有微量硼﹛磷等元素的單晶硅可用于制造二极管﹛晶体管及其他半導体器件﹛

由于半導体技術不斷向高集成度，高性能，低成本和系統化方向發展，半導体在國民經濟各領域中的應用更加廣泛﹛單晶硅片按使用性質可分為兩大類：生產用硅片；測試用硅片﹛

半導体元件所使用的單晶硅片系采用多晶硅原料再經由單晶生長技術所生產出來的﹛多晶硅所使用的原材料來自硅砂（二氧化硅）﹛目前商業化的多晶硅依外觀可分為塊狀多晶与粒狀多晶﹛

多晶硅的品質規格：

多晶硅按外形可分為塊狀多晶硅和棒狀多晶硅；等級分為一﹛二﹛三級免洗料﹛

多晶硅的檢測：

主要檢測參數為電阻率﹛碳濃度﹛N型少數載流子壽命；外形主要是塊狀的大小程度；結构方面要求無氧化夾層；表面需要經過酸腐蝕，結构需致密﹛平整，多晶硅的外觀應無色斑﹛變色，無可見的污染物﹛對于特殊要求的，還需要進行体內金屬雜質含量的檢測﹛ ﹛

單晶硅棒品質規格：

單晶硅棒的主要技術參數

型號	P型或A型
晶向	<111><100>
電阻率	0.0001ohm.cm-100ohm.cm
電阻率均勻性	<25%
位錯密度	無位錯
OISF密度	<500cm２
氧含量	根据客戶要求
碳含量	<1ppma
主要考面取向密度	根据客戶要求

其中電阻率﹛OISF密度﹛以及碳含量是衡量單晶硅棒等級的關鍵參數﹛這些參數在單晶成型后即定型，無法在此后的加工中進行改變﹛

測試方法：

電阻率：用四探針法﹛

OISF密度：利用氧化誘生法在高溫﹛高洁淨的爐管中氧化，再經過腐蝕后觀察其密度進行報數﹛

碳含量：利用紅外分光光度計進行檢測﹛

單晶硅拋光片品質規格：

單晶硅拋光片的物理性能參數同硅單晶技術參數

厚度（T）	200-1200um
總厚度變化（TTV）	＜10um
彎曲度（BOW）	＜35um
翹曲度（WARP）	＜35um

單晶硅拋光片的表面質量：正面要求無划道﹛無蝕坑﹛無霧﹛無區域沾污﹛無崩邊﹛無裂縫﹛無凹坑﹛無溝﹛無小丘﹛無刀痕等﹛背面要求無區域沾污﹛無崩邊﹛無裂縫﹛無刀痕﹛

（2）加工工藝知識

多晶硅加工成單晶硅棒：

多晶硅長晶法即長成單晶硅棒法有二种：

CZ（Czochralski）法

FZ（Float-Zone Technique）法

目前超過98％的電子元件材料全部使用單晶硅﹛其中用CZ法占了約85％，其他部份則是由浮融法FZ生長法﹛CZ法生長出的單晶硅，用在生產低功率的集成電路元件﹛而FZ法生長出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件﹛CZ法所以比FZ法更普遍被半導体工業采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片強化的优點﹛另外一個原因是CZ法比FZ法更容易生產出大尺寸的單晶硅棒﹛

目前國內主要采用CZ法

CZ法主要設備：CZ生長爐

CZ法生長爐的組成元件可分成四部分

（1）爐体：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁

（2）晶棒及坩堝拉升旋轉机构：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉元件

（3）气氛壓力控制：包括气体流量控制，真空系統及壓力控制閥

（4）控制系統：包括偵測感應器及電腦控制系統

加工工藝：

加料﹛熔化﹛縮頸生長﹛放肩生長﹛等徑生長﹛尾部生長

（1）加料：將多晶硅原料及雜質放入石英坩堝內，雜質的种類依電阻的N或P型而定﹛雜質种類有硼，磷，銻，砷﹛

（2）熔化：加完多晶硅原料于石英堝內后，長晶爐必須關閉并抽成真空后充入高純氬气使之維持一定壓力范圍內，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420�）以上，將多晶硅原料熔化﹛

（3）縮頸生長：當硅熔体的溫度穩定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔体中﹛由于籽晶与硅熔体場接触時的熱應力，會使籽晶產生位錯，這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉﹛縮頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4-6mm）由于位錯線与生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶体表面，產生零位錯的晶体﹛

（4）放肩生長：長完細頸之后，須降低溫度与拉速，使得晶体的直徑漸漸增大到所需的大小﹛

（5）等徑生長：長完細頸和肩部之后，借著拉速与溫度的不斷調整，可使晶棒直徑維持在正負2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分﹛單晶硅片取自于等徑部分﹛

（6）尾部生長：在長完等徑部分之后，如果立刻將晶棒与液面分開，那么效應力將使得晶棒出現位錯与滑移線﹛于是為了避免此問題的發生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而与液面分開﹛這一過程稱之為尾部生長﹛長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間后取出，即完成一次生長周期﹛

單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片

加工流程：

單晶生長﹛切斷﹛外徑滾磨﹛平邊或V型槽處理﹛切片

倒角﹛研磨 ﹛腐蝕--拋光﹛清洗﹛包裝

切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部﹛尾部及超出客戶規格的部分，將單晶硅棒分段成切片設備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量﹛

切斷的設備：內園切割机或外園切割机

切斷用主要進口材料：刀片

外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑滾磨可以獲得較為精确的直徑﹛

外徑滾磨的設備：磨床